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橙色长余辉电压穿透式变色粉
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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第四届全国发光学术会议
【发表日期】
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1986年期
其他文献
设计制作了一个从22.8GHz到68.4GHz的封装型变容管三倍频器,这是目前报导的用封装型变容管所达到的最高频率。该倍频器在结构上实现了空闲回路独立可调,从而提高了倍频效率。
近日,国务院发布《关于进一步提高上市公公司质量的意见》(以下简称《意见》).意见提出,全面推行、分步实施证券发行注册制.优化发行上市标准,增强包容性.加强对拟上市企业的
期刊
硅变容二极管在较高的中子注量辐射下，电调谐特性几乎完全损失，主要原因是中子辐射在P[*+*]N耗尽区N的一边引入深俘获能级，俘获N区施主使耗尽层展宽，结电容大大变小，最终使电容值