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SOI LDMOS的开态击穿电压主要取决于漂移区的电势和电场分布.本文基于二维泊松方程,建立了漂移区全耗尽情况下的SOI LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型.利用该解析模型和半导体器件仿真软件MEDICI,探讨了偏置电压和结构参数对表面电势和表面电场分布的影响.解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性.