【摘 要】
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铟锡氧化物(IndiumTinOxide,以下简称ITO)是锡掺杂氧化铟,它是一种n型半导体材料[1],它有许多不同方面的用途,研究ITO纳米粉体的制备具有重要意义.制备ITO粉体的方法有多种,
【机 构】
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中南大学化学化工学院湖南,长沙,410083
【出 处】
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2005中国储能电池与动力电池及其关键材料学术研讨会
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铟锡氧化物(IndiumTinOxide,以下简称ITO)是锡掺杂氧化铟,它是一种n型半导体材料[1],它有许多不同方面的用途,研究ITO纳米粉体的制备具有重要意义.制备ITO粉体的方法有多种,其中水热法是一种很有前途的制备纳米晶体的湿化学方法.水热法是在特制的密闭反应容器(高压釜)里,采用水溶液(或其它液体)作为反应介质,通过对反应容器加热,创造一个高温、高压反应环境,使得通常难溶或不溶的物质溶解并且重结晶[5].它可用来生长各种单晶,制备超细、无团聚或少团聚、结晶完好的陶瓷粉体,其最大优点是可以直接制备各种氧化物粉体,不需要二次热处理,使得工艺简单,制品性能优异[6,7].而用水热法制备铟锡氧化物(ITO)尚未见国内报道.水热反应条件(反应温度、反应时间、反应介质、矿化剂)对晶粒的生长有很大的影响,改变水热反应条件可制得同种化合物的异构体,由于同质异构体的结晶习性不同,使所制得的晶粒形态和粒度有很大的差异.因此本实验要考察各种水热反应条件对制备ITO的影响.
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