在靠近Cu—Sn基本的Nb[*v3*]Sn层中存在某种由粗Nb[*v3*]Sn晶粒连成的类似晶界形状的网。在所研究的热处理制度范围内，随热处理时间的增加，网的尺寸变化不明显。组成网的粗Nb[*v3*]Sn晶粒含Sn量高于周围的小Nb[*v3*]Sn晶粒的含Sn量。对这种Nb[*v3*]Sn带的扩散层厚度，晶粒尺寸进行了观测。在700℃进行较长时间的热处理，如200小时，可以得到具有较高超导性的导体。由于Nb[*v3*]Sn晶粒生长的方向性导致了临界电流Ic的各向异性。700℃处理200，小时的带材样品，在4．2K、20T场强（L）下，全电流密度为8．6—10×10A/cm。在4．2K，1．6T场强(（L）下，全电流密度～2．64×10[**]A/cm。（本刊录）