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利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较弱。
AlN缓冲层厚度对SiC上外延GaN薄膜晶体质量的影响
【摘 要】
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利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较
【机 构】
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山东华光光电子有限公司,济南,250101山东华光光电子有限公司,济南,250101山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250101
【出 处】
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第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)
【发表日期】
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2009年10期
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