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Ku波段GaAs功率单片电路
【机 构】
:
工业部第十三研究所
【出 处】
:
'96全国第六届MIC电路及工艺会议
【发表日期】
:
1996年期
其他文献
论述了一种GaAs MESFET单片集成压控衰减器的研制过程,包括参数设计,结构设计,工艺设计等。该衰减器主要指标为:频率3~4GHz,衰减量≥30dB,插损≤1.8dB,驻波≤1.9。
采用C50单片机作为头位检测和图象接收检测具有成本低、可靠、数据处理能力强,精度较高等特点,由于C50速度快所以不需要贞缓存,而是直接采样和计算,系统比较简单。