【摘 要】
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In2Se3,Ga2Se3和Cu2Se等二元硒化物是制备CIGS薄膜太阳电池重要的前驱物.硒化物的组成和晶向受到Se蒸发速率的影响.在In、Cu、Ga和Se四种元素中,Se的蒸发速率对蒸发温度最敏
【机 构】
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工业和信息化部电信研究院中国泰尔实验室信息产业邮电工业产品质量监督检验中心,北京100088
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In2Se3,Ga2Se3和Cu2Se等二元硒化物是制备CIGS薄膜太阳电池重要的前驱物.硒化物的组成和晶向受到Se蒸发速率的影响.在In、Cu、Ga和Se四种元素中,Se的蒸发速率对蒸发温度最敏感,Se舟蒸发温度增加20℃,Se的蒸汽压就会增加一倍.本文发现在Na参与In-Se二元化合物反应,并提高了Se的利用率,Se蒸发温度在220℃时是个安全温度,既能够保证贫Se相的产生,又能够避免反蒸而降低生长速度.Na的掺入方式包括先掺入(Na从钠钙玻璃扩散和NaF预制层)、NaF共蒸发掺入NaF.
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