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在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结构被用来制备性能良好的接触。
n-SiC欧姆接触的研究进展
【摘 要】
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在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发
【机 构】
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西安电子科技大学 微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安 710071
【出 处】
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中国电子学会第十二届全国青年学术年会
【发表日期】
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2006年期
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