【摘 要】
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新型存储行业的发展不仅要求高密度、低能耗、快速的读写能力以及高的稳定性,也追求器件的小型化以及多重存储信号和功能在同一器件中的集成.在电阻开关型非易失性阻变器件的
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新型存储行业的发展不仅要求高密度、低能耗、快速的读写能力以及高的稳定性,也追求器件的小型化以及多重存储信号和功能在同一器件中的集成.在电阻开关型非易失性阻变器件的基础上,进一步耦合稳定的磁性转换,能够使得电荷和自旋两个独立信号在同一氧化物功能薄膜中通过外加电刺激被同时调制.我们成功地在过渡金属氧化物FeOx薄膜以及稀磁半导体氧化物CeO2/PrBa2Cu3O7-δ异质结两个体系中实现了高稳定性、重复性和开关比的电阻开关效应,并在此基础上利用电阻开关将体系的磁化强度实现了在两个值之间的稳定转换.在α-Fe2O3/Pt/Ti/SiO2/Si体系中的电阻开关是由电场驱动的氧空位迁移,导致了α-Fe2O3中Fe3+在Fe2+与Fe3+之间发生氧化还原反应,产生了相变,其中一个相表现出α-Fe2O3的电性和磁性,而另一相表现出类似于Fe3O4的电性和磁性.而在CeO2/PrBa2Cu3O7-δ/Pt/Ti/SiO2/Si异质结,发现体系中的电阻开关是CeO2与PrBa2Cu3O7-δ的界面效应所致,界面氧空位对小极化子耦合的调制改变了异质结的磁性.
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