【摘 要】
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针对InP基2.3μm波段应变InGaAs量子阱结构,采用In0.53Ga0.47As/InaAs三角量子阱结构代替传统方势阱结构改善量子阱的应变情况,使得在相同应变量下量子阱的发光波长更长。利
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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针对InP基2.3μm波段应变InGaAs量子阱结构,采用In0.53Ga0.47As/InaAs三角量子阱结构代替传统方势阱结构改善量子阱的应变情况,使得在相同应变量下量子阱的发光波长更长。利用气态源分子束外延生长In0.53Ga0.47As/InAs数字超晶格来等效构成三角量子阱结构,通过优化三角量子阱结构和生长条件参数,使样品在室温下光致发光波长大于2.4 μm,并采用数字超晶格生长垒层材料进一步改善了量子阱的发光特性。
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