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半导体厂晶背研磨(back-side grinding,BG)废水富有高浊度及细粒径特性,主要由纯水与细微无机颗粒所组成,其浊度范围介於1,325~3,220NTU,pH值6.8~7.2,平均粒径小於1.0μm,导电度为14~18μS/cm,因此若将其处理并回收再利用,应具有相当程度的经济效益。本研究以BG研磨废水,以一连串物化处理程序降低废水浊度,改变其原有高浊度细粒径之水质特性,进而减缓废水处理之负荷。经批次试验结果显示,当BG研磨废水pH值为7.2时,以2.2mg/L多元氯化铝(polyaluminum chloride,PAC)为混凝剂,0.5mg/L阳性高分子聚合物(polymer),浊度之去除率可维持95%以上,且颗粒之平均粒径提高至17.8μm,pH值为6.2,TDS浓度为158mg/L,表示利用化学混凝可破坏胶体粒子之稳定性,并增加胶羽凝聚机会,达到快速沉降之效果。另接续以滤速0.6mh-1传统石英砂滤床过滤残留悬浮性胶羽,去除水中悬浮固体物,可将废水浊度降至13NTU,浊度总去除率提高为98%,平均粒径降为6.8μm,TDS维持於154mg/L,显示藉化学混凝与砂滤处理後,BG研磨废水可保有低浊度高粒径之水质特性。薄膜分离测试,当使用孔径为0.04μm,压力控制为0.5kg/cm2之螺旋缠绕式(spiral wound)超过滤膜(UF),浊度之总去除率达99%,清水通量(flux)可维持90L/m2h。另对照组采直接过滤BG研磨原水,浊度之去除效率亦可达99%以上,清水通量降低至80L/m2h,显示BG研磨废水藉由各物化处理程序可获得较大之通量,可正面提升薄膜处理之效能,避免微细颗粒快速阻塞超过滤膜之表面孔隙。另滤液水质浊度均小於1.0NTU,平均粒径大小为1.5μm,残留铝剂量低於0.2mg/L,故针对後续逆渗透(RO)膜之操作应无太大之影响,显示此法可处理高浊度之晶背研磨废水,并以期水回收再利用技术可行之成效。