论文部分内容阅读
快重离子与物质的相互作用已经成为一个重要的诱人的领域.快重离子能够在几个纳米园柱体内有效地引起相变.在电子阻止体制下荷能离子引起的径迹可以在很多科学和技术领域中有广泛的应用.本文评述了径迹形成物理机制和径迹应用研究的国际现状.
快重离子引起的潜径迹研究的新进展
【摘 要】
：
快重离子与物质的相互作用已经成为一个重要的诱人的领域.快重离子能够在几个纳米园柱体内有效地引起相变.在电子阻止体制下荷能离子引起的径迹可以在很多科学和技术领域中有广泛的应用.本文评述了径迹形成物理机制和径迹应用研究的国际现状.
【机 构】
：
中国科学院近代物理研究所(兰州)
【出 处】
：
第八届全国固体核径迹学术会议
【发表日期】
：
2004年6期
其他文献
本文对沉积在热衬底上的TiNi薄膜进行了X射线散射分析,并用小角X射线散射技术研究了TiNi合金薄膜其中生长的晶化粒子的界面特征和晶粒大小.
本文通过在金刚石薄膜表面蒸镀纳米量级金膜作为栅级的方式,在低于10V的电压下观察到金刚石薄膜的场发射,共发射电子的发散角度小于6°,接近于面发射.
我们建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL测试的系统.该系统对MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长高磷(P)组份的GaNP三元合金(最高x=20﹪),在4.8K下进行了PL谱测量.发现随三元合金中磷(P)组份的增加,GaNP的PL峰(3.304eV,3.378eV,3.143eV)红移减小.对掺N的6H-SiC单晶体在20kV高压下离子注入B(硼),其浓度为10cm,进而在1700℃
固体C(或C)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP)形成良好的异质结,其整流比高达10~10.十多年来,固体C(C)一直是被众多的物理和化学工作者关注的重要课题之一,取得许多研究成果,然而至今尚有许多问题有待于研究.本文报导固体C膜发生于低温和高温的
采用脉冲激光沉积法(PLD)在Si衬底上生长c轴取向LiNbO(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响,并且生长出了安全c轴取向的LN晶体薄膜.
作者采用Sol-gel制备了nc-Si/SiO结构,并对其厚度、表面形貌和组分进行了分析,表明采用Sol-gel法制备SiO薄膜含有纳米量级的Si量子点.
本文报道了低成本颗粒硅带衬底(SSP)的性质和采用化学汽相(RTCVD)在颗粒硅带衬底上制备的多晶硅薄膜的工艺条件及薄膜的特性;同时给出通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6.36﹪(高弛硅粉制成的SSP衬底)和4.5﹪(低纯硅粉制成的SSP衬底).
本文研究了多孔硅的制备条件,对其制备方法、表面形态、发生特性以及发光机理等方面的性能进行深入研究,对其影响因素进行了重点分析.
本文用GEN-ⅡMBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性能.
70年代以前离子微孔膜的生产是在反应堆上利用裂变碎片轰击膜材而制成的,使用的裂变碎片具有放射性,70年代以后离子微孔膜主要是在重离子加速器上,利用重离子轰击膜材生产的,使用的重离子是稳定的核,没有放射性,为区别起见,在反应堆上生产的离子微孔膜称为核孔膜,在重离子加速器上生产的离子微孔膜称为离子微孔膜.当一定能量的重离子穿过较薄的膜材时,在离子经过的薄膜的路径上,引起电离辐射损伤,损伤区经化学蚀刻后