X射线衍射技术研究SO<,4><'2->/ZrO<,2>及SO<,4><'2->/ZrO<,2>-SiO&l

来源 :第七届全国X射线衍射学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:anitalok
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采用X射线技术研究了SO/ZrO,及SO/ZrO-SiO催化剂的结构,实验发现:一般在450—650℃范围内焙烧的SO/ZrO催化剂为四方晶型;但是对于SO/ZrO-SiO催化剂体系,即使在二氧化硅的含量较低的条件下,650℃以卜焙烧时均为无定型结构的。750℃以上焙烧ZrO-SiO,硅锆比(摩尔比)小于8时,XRD谱图上出现宽化了的四方晶型的二氧化锆的衍射峰;而硅锆比大于8时,则出现了一种类似于分子筛的衍射峰。
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