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利用MOCVD研究了SiC衬底Al GaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×1016/V.s(室温)。采用上述材料制作1mm栅宽HEMTs器件,8GHz、45V工作时输出功率密度10.52W/mm,功率增益7.62dB,功率附加效率45.8%,表明该外延材料具有较好的微波应用潜力。