【摘 要】
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采用脉冲电流沉积法研究了不同基质上Co掺杂CdSe薄膜电极的制备方法，通过考察电沉积的峰电流密度和平均电流密度以及电极的开路电压和短路电流，确定了制膜的最佳条件：Co掺杂浓度
【机 构】
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西安理工大学应用化学系,陕西西安710048
【出 处】
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2010年全国太阳能光化学与光催化学术会议
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采用脉冲电流沉积法研究了不同基质上Co掺杂CdSe薄膜电极的制备方法，通过考察电沉积的峰电流密度和平均电流密度以及电极的开路电压和短路电流，确定了制膜的最佳条件：Co掺杂浓度0.5x10-3 mol·L-1、pH 1.5、占空比1s：3s、循环次数600次、所加电压-1.3 V.采用150 W卤钨灯和三电极系统对制备的Co掺杂CdSe薄膜电极进行了光电催化性能实验，发现镍基质的Co掺杂CdSe薄膜活性最好，6h二硝基苯胺降解率可达52.8％、对硝基苯酚的降解率达81.1％。
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