BH分子结构和振动频率的DFT研究

来源 :第十二届全国原子与分子物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:HEXINLONG19871006
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用密度泛函理论(DFT)方法研究B<,2>H<,6>分子的几何结构、空间电子密度分布和轨道动量分布以及振动频率等基本性质.取DFT理论中的B3LYP方法和6-311++G<**>基组对乙硼烷分子的几何构型进行全优化计算后分析其空间电子密度分布.利用不同方法和基组得到了轨道动量分布.在B3LYP/6-311+GG<**>基础上对优化后的结构进行正则振动频率分析.
其他文献
利用含有电子相关效应校正的密度泛函理论DFT中的B3LYP方法,选择LANL2DZ双ζ基组,对Cu分子及其分子离子的势能函数进行理论研究.计算得到Cu、Cu,Cu,Cu和Cu基电子状态分别是:∑g,∑g,∑g,∑u,∑u和∑g,导出了相应的分子及分子离子的解析势能函数,并计算出Cu分子的垂直电离势和电子亲合能.计算结果与实验值吻合得较好.
运用密度泛函理论的三种方法(B3LYP、B3PW91、PW91PW91)与Mфller-plesset二级微扰方法(MP2)和极化分裂阶基基组6-311+G(3df),对二阶负离子全金属团簇Ga与多种一阶负离子团簇MGa(M=Li、Na、Cu)稳定构型与振动频率作了计算,其中二阶负离子全金属团簇Ga最稳定的构型是正方形结构(D).接着,从团簇结构、非局域π电子数目、分子轨道图形和Ga同MGa在结构
选用类B原子波函数,在单中心球模型近似下,利用变分法计算了H团簇正四面体中心结构与能量.结果表明当中心H原子核到顶角H原子核之间的距离R=1.98a时,体系能量有一极小值-2.2034h.a.u.这表明H的正四面体中心结构是可能稳定存在的.计算结果与用MACQM法计算的结果基本相符,表明采用的物理模型及其计算方法是合理可靠的.
C在与重离子作用下的激发机制与入射离子能量、质量及电荷态有关.核阻止主要出现在低能重离子与的碰撞中;而高能轻离子作用下,电子阻止迅速增强,成为主要的激发方式.本文中直接观察到的弹性碰撞引起的C峰,及其丰度依赖于入射离子的质量.同时我们还发现电子阻止随入射离子能量(7~20keV)增大相应增加,这与红外线热量子分子动力学计算的结果一致.
应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si离子与氢原子碰撞电离反应过程,计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量.计算结果展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机制.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布,研究了不同入射离子能量"鞍点"电离机制的可能性.
本工作采用组态相互作用波函数计算了He和Be离子高位双激发态P和D的能量和精细结构,并计算相对论修正、质量极化、振子强度和跃迁率.我们采用新量子数集K、T、A分析双激发态里德伯系列的变化规则,计算结果与试验结果符合很好.
采用位置灵敏探测和飞行时间技术研究了高电荷态Xe离子(q=15,17,19,21,23)与He原子碰撞中双电子转移截面与单俘获截面比随入射离子电荷态的变化规律.提出一步过程假定,对扩展的经典过垒(ECB)模型进行了修正,利用修正模型计算得到的单、双电子转移绝对截面与Andersson等人和Selberg等人的实验结果符合得很好,所得截面比与本实验得到的双电子转移截面与单电子俘获截面符合得比较好.
文中应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si离子与氢原子碰撞过程,计算了随入射离子能量变化的电子俘获、电离总截面及电子俘获到特定末态的截面,分析了计算结果并定性解释了这些截面随能量的变化规律.
利用相干态基把CD(D-C≡C-D)分子的代数Hamiltonian经典化而导出CD分子的势能面,给出了势能面的立体图及相应的等高线.并具体计算了力常数、解离能等,与实验值相当符合.
采用位置灵敏探测器和散射离子-反冲离子飞行时间技术测量了900keV的S+H碰撞产生的H碎片的能量分布,实验表明部分H发生解离.基于蒙特卡罗方法,建立了程序模拟离子与分子碰撞中的反冲离子飞行时间谱.模拟结果与实验(S+H,S+He)测量到的TOF谱进行了分析比较,并进行了定性讨论.