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“Multiple-bottom-point” pits related defects in 6H-SiC single crystals
【机 构】
:
Research & Development Center for Functional Crystals, Beijing National Laboratory for Condensed Mat
【出 处】
:
第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
【发表日期】
:
2012年8期
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