【摘 要】
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等离子体化学气相淀积制备了新型低介电常数SiCOF介质薄膜,并通过FTIR,XPS和C--V特性测试对其结构和性能进行了研究.结果表明当CF流量为30sccm时所淀积的SiCOF薄膜介电常数仅
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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等离子体化学气相淀积制备了新型低介电常数SiCOF介质薄膜,并通过FTIR,XPS和C--V特性测试对其结构和性能进行了研究.结果表明当C<,4>F<,8>流量为30sccm时所淀积的SiCOF薄膜介电常数仅为2.6.FTIR及XPS分析发现SiCOF薄膜中有=CF和=CF<,2>结构存在,而且以=CF结构居多,同时薄膜中还有C--C键的交联,这种交联结构的存在使SiCOF薄膜有较高的稳定性,并有利于降低薄膜介电常数.另外,SiCOF薄膜具有良好的抗吸湿性能,这可能与薄膜中含有憎水性的C--F基团有关.
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