不同Sb源掺杂[K0.44Na0.52)Li0.04](Nb0.9-zTa0.1Sbz)O3无铅压电陶瓷性能的影响

来源 :第三届全国压电和声波理论及器件技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a4951660
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采用传统的电子陶瓷工艺制备了(K0.44Na0.52Li0.04)(Nb0.9-xTa0.1Sbx)O3无铅压电陶瓷,研究了Sb的两种不同氧化物掺杂改性对该陶瓷体系的相结构和介电、压电性能的影响.研究结果表明:Sb以Sb2或者Sb5+引入,都制备出了压电性能较高的多元铌酸盐系无铅压电陶瓷.但是Sb以Sb3+引入时,可以得到更加致密的陶瓷,而且受组分的影响较小.该体系压电陶瓷的正交-四方相准同型相界位于0.03
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