【摘 要】
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针对目前制备的银包石墨复合粒子存在银含量高或壳层不致密等问题,本文提出了在天然石墨粒子表面高密度接枝修饰巯基的方法,并在此基础上用液相化学还原银技术制备了薄而
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉市洪山区珞狮路122号,430070
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针对目前制备的银包石墨复合粒子存在银含量高或壳层不致密等问题,本文提出了在天然石墨粒子表面高密度接枝修饰巯基的方法,并在此基础上用液相化学还原银技术制备了薄而致密银壳层包覆石墨复合粒子.XPS 分析表明硅烷偶联剂分子通过水解不仅能与石墨粒子表面的羟基脱水键合,也能自缩合；TG-DTG、元素分析和 BET 分析表明,修饰后的石墨粒子表面的巯基密度约为 49.8±1.6 个/nm2,远高于文献中报道的表面富羟基的纳米材料的巯基密度,如：ZnO、SiO2.基于上述结果,提出了石墨粒子表面高密度修饰巯基的可能机理.提高石墨粒子表面的巯基密度,能显著提高银晶核在石墨粒子表面的形核数密度,从而在壳厚较少的情形下即能获得致密的银壳层.本文制备的超薄致密银壳层包覆石墨复合粒子在体积分数为 25％时,其组成的导电胶的体积电阻率为 5.94×10-3 ·cm.这说明它在导电与电磁屏蔽复合材料领域具有重要的应用前景.
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