用于光解水的金属-半导体复合结构设计中的晶面效应

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hy009009
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  光生空穴在半导体中较低的迁移速度是制约光催化效率提高的重要因素之一。利用p型半导体-金属的肖特基势垒可以加快空穴的迁移速度,从而可以很有效的提高水在光照条件下直接分解产氢的光催化效率。在该报告中,我们将阐述功函数是半导体表面和金属之间形成吸空穴的肖特基结的重要选择原则。当然,在选择半导体晶面的时候,必须要考虑内部电荷的空间分布,主要是因为它可以形成光生电子在半导体某些晶面的富集。这些晶面的功函数和建立p型结的晶面特征是一致的。因此,在设计这种复合材料的过程中,半导体晶体最好被单一晶面包裹,从而使肖特基势垒和电荷的空间分布能够更好的协同作用。基于以上观点来对表面进行优化设计的金属-半导体复合材料,具有在可见光照射下直接产氢的性能。
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