论文部分内容阅读
SiC埋层中元素化学性质的研究
【机 构】
:
工业大学应用物理系
【出 处】
:
'96中国材料研讨会
【发表日期】
:
1996年期
其他文献
该文对α-SiC超细粉体的机械法制备工艺进行了研究,制定了一套合理高效的制备工艺,所制备粉体粒度细,纯度高,分散性好,能很好地满足工程陶瓷等领域的应用要求。
碳化硅晶须是金属基、陶瓷基和高聚物基等先进复合材料的优良增强剂。目前现行合成SiC晶须普遍存在转化率低、产量低、能耗大、成本高、产品质量不稳定,因而售价昂贵,对环境污
该文利用SiO<,2>和活性炭的固相合成法制备出了哑铃形SiC晶须。哑铃形晶须由直杆状SiC晶须和念珠状多晶体物质组成。直杆状晶须的直径约为40~300nm,念珠状物质的直径约为60~500nm。X射线和电子衍射的结果表明
该文要用两步手长法生成反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须,探索SiC纳米晶须的工艺条件。通过XRD、HREM、Raman、IR等检测手段,他们对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究,其直径为3 ̄40nm,长度
2011年12月28日下午,由信泽传媒承办的“首届商圈与终端媒体营销经典案例评选颁奖典礼”在上海金茂君悦大酒店华丽谢幕。来自广告界的学术权威、国内外知名的品牌代表、知名
利用X射线衍射技术,Instron电子拉伸机和透射电子显微镜,本文对退火后SiCw/p-Al和SiCw/6061Al复合材料的位错密度和屈服强度进行了研究.结果表明,经过退火后的SiCw/p-Al复合
本文对深圳市盐田区公共建筑能耗监测系统项目的设计及安装进行了研究,对指导同等规模地区(普通县城级)的既有建筑节能管理和建筑节能改造,具有借鉴意义和参考价值.