P沟和N沟MOS场效应管的辐照研究

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【摘要】

：

本文通过对P沟MOS场效应管IRF9530和N沟MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈电压变化随辐照剂量近似一阶指数衰减关系.产生这种现象的

【作者】

：

牟维兵徐曦

【机构】

：

中国工程物理研究院电子工程研究所,四川·绵阳,621900

【出处】

：

第三届全国物理及其应用学术研讨会

【发表日期】

：

2006年7期

【关键词】

：

场效应管辐照剂量阈电压值

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本文通过对P沟MOS场效应管IRF9530和N沟MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈电压变化随辐照剂量近似一阶指数衰减关系.产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与辐照剂量近似线性变化,对阈值电压变化和辐照剂量有近似线性的改变,而界面态对空间电荷有补偿作用,其对阈值电压的改变有近似与辐照剂量成二次方的关系.

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