四波长硅基混合微盘激光器阵列

来源 :2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zht20090907

【摘要】

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基于DVS-BCB键合技术制作出了四波长硅基微盘激光器阵列，微盘chl-ch4半径分别为8.36, 8.34, 8.32和8.3μm，硅波导宽度为1.7μn，高为340 nm。相邻两微盘间距约为40μm。根据激光

【作者】

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隋少帅唐明英杜云黄永箴

【机构】

：

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室

【出处】

：

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

【发表日期】

：

2014年期

【关键词】

：

四波长硅基混合

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基于DVS-BCB键合技术制作出了四波长硅基微盘激光器阵列，微盘chl-ch4半径分别为8.36, 8.34, 8.32和8.3μm，硅波导宽度为1.7μn，高为340 nm。相邻两微盘间距约为40μm。根据激光器谐振条件:2πRneff=mλ，可以得到在同一纵模阶数下，由于20 nm的半径差导致的激射波长差约为3.7nm。

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