论文部分内容阅读
工程中现有的MOCVD(金属有机化学气相沉积)反应器一般是工作在层流状态，但随着反应器内部压力的提高和晶片尺寸的加大，反应器内部的流动将会转捩为湍流。本文以垂直式冷壁反应器为例，采用大涡模拟(LES)的方法对其内部的流场和温度场进行模拟分析。通过改变Rayleigh数、基片旋转速度及反应器几何尺度等参数来对其进行数值分析和优化。模拟结果发现由热对流引发的湍流增强了传热，由于湍流的混合作用，选择合适的基片旋转速度及几何尺寸，反应器内部很大区域内的传热效率较为一致。对低Ra数和更高Ra数下的反应器内部流动和传热特性进行研究，模拟结果和分析表明了湍流型MOCVD在高Ra数下保持薄膜生长均匀性而显着提高产率的原则可行性。