论文部分内容阅读
研究了硅中H<+>,He<+>共注入所引起的新效应以及共注入对硅材料的缺陷、气泡和小平面等的形成和演化的影响,深入研究了H+/He+离子共注入次序和剂量对Smart-cut SOI工艺的影响,得到H<+>/He<+>离子共注入可以降低Smart-cut SOI注入剂量,降低了SOI成本.