X-ray near edge analysis of AlGaN films grown on sapphire

来源 :第十八届全国凝聚态光学性质学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lb19900527

【作者】

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【机构】

：

InstituteofOptoelectronicMaterialandTechnology,SouthChinaNormalUniversity,Guangzhou510631,ChinaState

【出处】

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第十八届全国凝聚态光学性质学术会议

【发表日期】

：

2016年8期

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