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该文对浓硼选择深扩散工艺进行了研究，针对高浓度深扩散时由于需采用大厚度的ＳｉＯ〈，２〉掩蔽层而带来的工艺问题，提出了采用ＳｉＯ〈，２〉加ＳｉＮ〈，４〉的双层掩蔽层的改进方法。经浓硼选择深扩散实验证明，双层掩蔽层不但工艺难度低，而且掩蔽效果好，是一种很好的工艺形式。
浓硼选择深扩散的双掩蔽层工艺研究
【摘 要】
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该文对浓硼选择深扩散工艺进行了研究，针对高浓度深扩散时由于需采用大厚度的ＳｉＯ〈，２〉掩蔽层而带来的工艺问题，提出了采用ＳｉＯ〈，２〉加ＳｉＮ〈，４〉的双层掩蔽层的改进方法。经浓硼选择深扩散实验
【机 构】
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大学微电子所微米纳米加工技术国家重点实验室
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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