【摘 要】
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叙述了我国半导体材料发展现状和在世界地位并对我国未来创新发展提出建议.考虑全球性多晶硅短缺、中国应自主创新,兴建大型多晶硅工厂,并使产品在质量和成本两方面均具有国
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京 100083
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工程学部第五届学术会议
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叙述了我国半导体材料发展现状和在世界地位并对我国未来创新发展提出建议.考虑全球性多晶硅短缺、中国应自主创新,兴建大型多晶硅工厂,并使产品在质量和成本两方面均具有国际竞争能力.中国的硅单晶和硅片应向高端发展.要加强应变硅、SO1材料、Si28的创新性研究,提高GaAs、InP和GaP材料质量并扩大生产规模.中国的LED工业要提升竞争力必须提高Ⅲ-N外延管芯的质量.半导体灯要取代传统照明光源还要在发光效率(Im/W),流明价格(美元/kIm)光色重现指标(CRI),光通量(IM/灯)寿命(h)等方面付出很大努力.
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