【摘 要】
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CrS2 monolayer is a direct gap semiconductor with a bandgap of about 1.48 eV [1].Meanwhile theformation energy of 2H CrS2 monolayer is lower than that of any other transition metal dichalcogenidesmono
【机 构】
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Department of Physics,Jilin University,Changchun 130012,PR China
【出 处】
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第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议
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CrS2 monolayer is a direct gap semiconductor with a bandgap of about 1.48 eV [1].Meanwhile theformation energy of 2H CrS2 monolayer is lower than that of any other transition metal dichalcogenidesmonolayer [1],indicating that it should be possible to experimentally synthesize monolayer CrS2.In thispaper,the influences of a series of transition metal and alkaline-earth dopants on the electronic andmagnetic properties of CrS2 monolayer were investigated using first-principles calculations.
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