【摘 要】
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采用不同氧碳含量的P型(100)无位错CZSi片制作单体硅光电池.为研究氧杂质的行为与影响,实验中设计了不同温度、气氛的热工艺条件.实验结果发现:适当的热处理工艺能引起硅片中氧的形态转变,以及氧碳结构的重组;络合体的形成起到一定的吸杂作用,对光生载流子的复合减弱,提高了少子寿命;光电转换效率明显提高.
【机 构】
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河北工业大学(天津) 北京市太阳能研究所(北京)
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采用不同氧碳含量的P型(100)无位错CZSi片制作单体硅光电池.为研究氧杂质的行为与影响,实验中设计了不同温度、气氛的热工艺条件.实验结果发现:适当的热处理工艺能引起硅片中氧的形态转变,以及氧碳结构的重组;络合体的形成起到一定的吸杂作用,对光生载流子的复合减弱,提高了少子寿命;光电转换效率明显提高.
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