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文章综述了ZnO半导体陶瓷的晶相、晶界，微观结构和电性能关系，晶界势垒高度和耗尽层宽度的表征，从ZnO半导体陶瓷晶界电容与晶界势垒电压关系，推导了电容一电压(C-V)特性，可以求得ZnO半导体陶瓷晶粒的势垒高度，耗尽层宽度和施主密度。
ZnO半导体陶瓷晶界势垒的控制与应用
【摘 要】
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文章综述了ZnO半导体陶瓷的晶相、晶界，微观结构和电性能关系，晶界势垒高度和耗尽层宽度的表征，从ZnO半导体陶瓷晶界电容与晶界势垒电压关系，推导了电容一电压(C-V)特性，可以
【机 构】
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中国科学院等离子体物理研究所博士
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会第十五届电压敏学术年会
【发表日期】
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2008年期
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