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本文通过建立电阻和二极管复合网络模型，计算研究了含限流层的980nm大孔径底发射VCSEL激光器注入电流输运分布规律及其调控，以改进器件的横向增益分布和近场光学模式。计算结果表明，在大孔径器件的设计中，限流孔靠近激光有源区可以有效提高注入电流的利用率；减小p电极半径可以使注入电流分布向中央汇合，从而有利于获得近场光强分布更为均匀的低阶模或准基模输出；增加器件厚度也会有利于减小p电极半径边缘附近的电流峰值，使电流分布进一步向中心会聚，有利于形成近高斯的分布形式。