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用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了Mg<,2>Si与掺Sb,Te和Ag系列,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.掺杂使得离子键和共价键强度降低,在费米能级附近的能隙变小,从而提高材料电导率,降低材料热导率,优化了材料的热电性能.以上结论与实验结果一致.
MgSi与掺杂系列的电子结构与热电性能研究
【摘 要】
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用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了MgSi与掺Sb,Te和Ag系列,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.掺杂使得离子键和共价键强度降低,在费米能级附近的能隙变小,从而提高材料电导率,降低材料热导率,优化了材料的热电性能.以上结论与实验结果一致.
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室(湖北武汉)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2004年10期
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