【摘 要】
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为了研究直流老化对ZnO压敏电阻8/20μs脉冲老化寿命的影响,对同一批次的ZnO压敏电阻在125℃、110％的荷电率下进行直流老化,老化时间分别为20、40、60、80、100h.直流老化后对各组压敏电阻进行幅值21.5kA的8/20μs波形大电流冲击老化.研究发现直流老化30h与40h的压敏电阻器可以承受100次的冲击,直流老化80h与100h的压敏电阻器可以承受65次的冲击.结果表明直流老化
【机 构】
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贵州大学材料与冶金学院 贵阳550003 贵阳高新益舸电子有限公司 贵阳550022
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十四届学术年会
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为了研究直流老化对ZnO压敏电阻8/20μs脉冲老化寿命的影响,对同一批次的ZnO压敏电阻在125℃、110％的荷电率下进行直流老化,老化时间分别为20、40、60、80、100h.直流老化后对各组压敏电阻进行幅值21.5kA的8/20μs波形大电流冲击老化.研究发现直流老化30h与40h的压敏电阻器可以承受100次的冲击,直流老化80h与100h的压敏电阻器可以承受65次的冲击.结果表明直流老化机理与冲击老化机理存在明显差异,8/20μs脉冲老化造成ZnO压敏电阻的基体表面有缺陷的局部区域出现孔洞和裂纹,晶界层的破坏导致了压敏电压的降低,压敏电阻性能的劣化.直流老化时间相近的压敏电阻具有相同的耐大电流冲击老化的特性.
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