【摘 要】
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本文研究了Si掺杂对半极性和非极性紫外LED中AlGaN外延层性能的影响,并与极性AlGaN材料作对比.本研究使用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在极性、半极性和非极性蓝宝
【机 构】
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东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
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本文研究了Si掺杂对半极性和非极性紫外LED中AlGaN外延层性能的影响,并与极性AlGaN材料作对比.本研究使用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在极性、半极性和非极性蓝宝石衬底上生长AIGaN外延层,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和霍尔效应测试仪研究Si掺杂对这些外延层的晶体结构和电学特性的影响.研究发现,由于Si原子增强了位错滑移,在a面蓝宝石衬底上生长得到的AlGaN样品的表面形貌和晶体质量均随掺Si浓度的增加而提高.并且,Si掺杂会抑制c方向生长,因此m面和r面蓝宝石衬底上生长的半极性和非极性AlGaN样品表面的褶皱明显减少.由于晶体质量的提高,生长在a面蓝宝石衬底上的极性AlGaN样品的电子迁移率和载流子浓度均随Si掺杂浓度的增加而提高.此外,生长在m面蓝宝石衬底上的半极性AlGaN样品有较高的电子浓度,这有利于制备高质量半极性AlGaN基紫外发光二极管(UV-LED).
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