【摘 要】
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研究了不同辐射偏置条件下国产N沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应。探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系。实验表明:随着累
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所; 新疆电子信息材料与器件重点实验室; 中国科学院研究生院; 中国科学院微电子研究所;
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研究了不同辐射偏置条件下国产N沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应。探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系。实验表明:随着累积剂量的增加,阈值电压负向漂移,但变化在规定的范围内,退火后得到部分恢复;击穿电压变小,在退火后得到很好的恢复,但100℃退火时,在漏加偏置电压的条件下,发生了所谓的"击穿蠕变"现象;漏电流发生漂移,但变化很小,漏电增大得到了很好的改进;导通电阻在辐照及随后的退火实验中无明显的变化。
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