M/MgxZn1-xO(MZO)/M薄膜器件的单极型电阻开关性质及阻变机理

来源 :中国物理学会2011年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lutaixiaoxin
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会议
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We perform the calculations in Sr7Ti9O14 (Sr/Ti=7/9=77.7%) and discuss the effects of Ti-rich on the ferroelectricity and ferromagnetism.And the bandstructure and DOS(density of state) calculation is
会议
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会议
具有ABO3 型钙钛矿结构的SrTiO3(STO)材料是重要的电子材料之一,常温下STO 为立方结构,是一种先兆性型铁电体.尽管纯的STO 是顺电材料,但加上一个外部的扰动就可以诱导出它的铁电性.一般通过薄膜和衬底之间的面内应力以及不同大小的阳离子掺杂所产生的化学应力所诱导.
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由于具有多铁性以及良好的光催化性能,BiFeO3(BFO)备受关注.本文采用熔盐法制备BiFe1-xZnxO3(BFZO,x=0,0.005,0.01,0.05,0.1)粉体,然后以固相反应法制备BFZO 陶瓷,研究掺杂Zn 的BFO 的结构、形貌、禁带宽度、介电性能以及光催化性能,并探讨了Zn 掺杂对BFO 基陶瓷性能的影响.