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采用RF-PECVD技术,制备NIP型非晶硅太阳能电池。系统研究了P型窗口层的掺杂浓度（B2H6/SiH4）和氢稀释率（H2/SiH4）对电池开路电压（Voc）的影响,制备出Voc达到0.87V,FF达到0.66,效率为8.18%的NIP型非晶硅电池,将此沉积技术应用到不锈钢衬底,制备出初始效率为6.5%的单结非晶硅电池。