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铁磁体和重金属材料组成的双层薄膜结构中,两种材料的界面间会出现Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI),由于DMI效应会改变畴壁的形态以及移动速度,故存在DMI效应时各类自旋电子器件的性能也会发生改变。自旋纳米微波振荡器与目前常用的半导体振荡器相比,具有工作电压低、频率调制范围宽且易于电路集成等优点,受到了人们的广泛关注。而在制备自旋纳米微波振荡器器件时,若保护层选用重金属材料,这种强自旋-轨道耦合结构中就会出现界面DMI效应。