MBE生长940nm应变量子阱半导体激光器研究

来源 :第八届真空技术应用学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：daxiaa

【摘要】

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本文采用高真空分子束外延设备生长InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料,对InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱结构进行生长温度、生长时间和Ⅴ-Ⅲ族束流比等关键因素的优化设

【作者】

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董明礼曲轶艾立昆李银柱李玉英袁俊何江玲

【机构】

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昆明物理研究所,昆明,650223长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022上海微系统与信息系统研究所,上海,200050

【出处】

：

第八届真空技术应用学术年会

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

MBE 应变量子阱半导体激光器

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本文采用高真空分子束外延设备生长InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料,对InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱结构进行生长温度、生长时间和Ⅴ-Ⅲ族束流比等关键因素的优化设计,获得了高质量的外延材料.并成功研制出940nm应变量子阱半导体激光器在条宽100μm,腔长800μm时,阈值电流为0.41A,输出功率可达1W.

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