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本文报告了多晶硅薄膜电池组在非活性的重掺单晶硅衬底上生长硅薄膜并制备薄膜太阳电池的研究工作的新进展,电池最好转换率达到15.12℅.
用RTCVD制备的晶硅薄膜太阳电池的转换效率达到15.12﹪
【摘 要】
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本文报告了多晶硅薄膜电池组在非活性的重掺单晶硅衬底上生长硅薄膜并制备薄膜太阳电池的研究工作的新进展,电池最好转换率达到15.12℅.
【机 构】
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北京市太阳能研究所
【出 处】
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中国太阳能学会2001年学术会议
【发表日期】
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2001年期
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