【摘 要】
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本文研究了Er2O3掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响。实验发现,在ZnO压敏电阻中加入Er2O3不仅可以提高压敏电压VlmA,同时还可改善非线性系数和漏电流特性。但过量
【机 构】
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华南理工大学电子材料科学与工程系,广州,510640
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会第十四届电压敏学术年会
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本文研究了Er2O3掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响。实验发现,在ZnO压敏电阻中加入Er2O3不仅可以提高压敏电压VlmA,同时还可改善非线性系数和漏电流特性。但过量的Er2O3将会使压敏电阻的耐大电流冲击特性劣化，Er2O3以一种化合物的形式存在于晶界,阻碍了晶界的运动,使材料烧结后具有较小的晶粒尺寸,并且粒径分布比较均匀。当Er2O3的添加量为0.8mol%时,样品的压敏电压VlmA约为360V/mm,非线性系数α达到80,并且在8/20us的耐大电流冲击能力的试验中,样品的通流能力达到1.6kA/cm2。
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