【摘 要】
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用传统陶瓷工艺合成制备了（pbLa） （ZrTi）O（pLZT）铁电陶瓷，并用X射线衍射对其结构进行了测定，表明室温下PLzT陶瓷为铁电四方相结构：a=b＝4．0644，c=4.0925，c／a＝1.007。将pLzT陶瓷极化后，在抛光
【机 构】
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部破坏力学开放研究实验室,清华大学工程力学系
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用传统陶瓷工艺合成制备了（pb<,0.96>La<,0.04>） （Zr<,0.04>Ti<,0.60>）<,0.99>O<,3>（pLZT）铁电陶瓷，并用X射线衍射对其结构进行了测定，表明室温下PLzT陶瓷为铁电四方相结构：a=b＝4．0644，c=4.0925，c／a＝1.007。将pLzT陶瓷极化后，在抛光面进行压力为5kg的维氏压痕，并施加强度为0.4E<,c>、0．5E<,c>，0.6E<,c>（E<,c>=1100V）的侧向电场。用场发射扫描电镜研究观察PLZT试样极化前、极化后、以及在侧向电场作用下压痕裂纹附近铁电畴结构的形态及其变化。结果表明在0．6E。的侧向电场作用下，压痕裂纹附近发生了90°铁电畴变，SEM的铁电畴结构形貌图上再次出现了平直的90°铁电畴界。探讨了90°铁电畴变的形成及促发机制。
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