三结超导单电子晶体管特性分析

来源 :第三届全国超导薄膜和超导器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dengzk
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该文基于单电子隧道效应的半经典模型研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。
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