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本文提出了电子器件ESD热击穿的物理模型,并就两种不同pn结深度的热击穿进行了讨论,探讨了不同pn结深度下的ESD击穿电压.
电子器件ESD热击穿模型研究
【摘 要】
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本文提出了电子器件ESD热击穿的物理模型,并就两种不同pn结深度的热击穿进行了讨论,探讨了不同pn结深度下的ESD击穿电压.
【机 构】
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上海海运学院静电研究室(上海)
【出 处】
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中国物理学会静电专业委员会第十次学术年会
【发表日期】
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2002年2期
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