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UHV/CVD生长锗硅材料特性
UHV/CVD生长锗硅材料特性
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:donna1105
【摘 要】
:
他们用UHV/CVD系统生长了锗硅合金。外延层的组分由二次离子质谱和双晶衍射决定。他们发现生长速度随GE组分的增加而降低,B〈,2〉H〈,6〉对锗硅合金的生长有催化作用。二次离子测试表明,锗硅外
【作 者】
:
姜小波
叶志镇
【机 构】
:
大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
锗硅合金
二次离子质谱
硅外延层
组分
双晶衍射
生长速度
分布均匀
催化作用
系统
测试
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他们用UHV/CVD系统生长了锗硅合金。外延层的组分由二次离子质谱和双晶衍射决定。他们发现生长速度随GE组分的增加而降低,B〈,2〉H〈,6〉对锗硅合金的生长有催化作用。二次离子测试表明,锗硅外延层的纵向分布均匀。
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