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InP:Fe光导开关的研究
InP:Fe光导开关的研究
来源 :第十届全国核电子学与核探测技术学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gsqj123465
【摘 要】
:
近年来化合物半导体材料GaAs、InP等在光电子学领域的应用研究已经取得了很大进展。采用这些材料所研制的光导开关、光电导探测器具有体积小、性能可靠、制造工艺简单等优点
【作 者】
:
王晓双
刘仁和
【机 构】
:
中物院电子工程研究所(绵阳)
【出 处】
:
第十届全国核电子学与核探测技术学术年会
【发表日期】
:
2000年期
【关键词】
:
光导开关
制造工艺
化合物半导体材料
应用研究
性能可靠
光电子学
工作原理
体积小
光电导
材料所
探测
实验
器具
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近年来化合物半导体材料GaAs、InP等在光电子学领域的应用研究已经取得了很大进展。采用这些材料所研制的光导开关、光电导探测器具有体积小、性能可靠、制造工艺简单等优点。所研制的光导开关采用InP:Fe材料。介绍了这种光导开关的工作原理及其制造工艺,并且给出了实验结果。
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