强永磁机构装配过程异常磁化现象的数值模拟

来源 :2008全国博士生学术论坛——电气工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lanqie
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强永磁机构装配过程中会产生的局部饱和、局部退磁和旋转磁化等异常磁化现象,这些异常磁化现象将直接影响到永磁机构的场强,对强永磁机构的一种——强永磁魔环也是如此。因此对强永磁魔环的装配过程进行数值模拟,可以对异常磁化现象进行定位和分析。本文提出了一种矢量Jiles-Atherton磁滞数值模型,并与有限元分析相结合,全面模拟强永磁魔环装配过程出现的异常磁化现象。并根据模拟结果设计了一种增强型16单元强永磁魔环,证明了异常磁化模拟方法的正确性和现实意义。
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