【摘 要】
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利用等离子体协助分子束外延方法在p-GaN衬底上生长n-ZnO薄膜,制备出n-ZnO/p-GaN异质结,在室温下的电致发光光谱上观测到位于430nm的宽且强的发射带,被归结为来自GaN与Mg受主
【机 构】
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深圳大学材料学院,深圳 518060
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用等离子体协助分子束外延方法在p-GaN衬底上生长n-ZnO薄膜,制备出n-ZnO/p-GaN异质结,在室温下的电致发光光谱上观测到位于430nm的宽且强的发射带,被归结为来自GaN与Mg受主相关的缺陷发光；为改善发光性能,通过插入绝缘层,制备了n-ZnO/i-ZnO/p-GaN和n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质pn结构,结果显示ZnO或MgO绝缘层能有效地抑制电子向P型GaN层的注入,导致ZnO激活层的载流子复合几率增加,ZnO层的发光得到增强。通过进一步调节器件结构,可望在这种p-i-n异质结构的材料中实现新型的紫外发光器件和激光器。
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